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氮化硅陶瓷基板邂逅碳化硅功率模块，国产新能源汽车开启性能狂飙模式一、第3代半导体材料——碳化硅SiC性能优势明显碳化硅SiC是第3代宽禁带半导体代表材料，具有热导率高、击穿电场高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，采用碳化硅SiC制材料制备的第3代半导体器件不仅能在较高温度下稳定运行，还能以较少的电能消耗，获得更高效的运行能力。相比于首代Si硅基半导体，第3代宽禁带半导体碳化硅SiC具有2倍的极限工作温度、10倍...
2023-05-03 13:26:55 521浏览 0点赞 0回复 0收藏
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